Наименование | Моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых ИС, в том чис |
|
|
|
|
Происхождение трудовой функции | Оригинал |
|
Заимствовано из оригинала |
|
|
|
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта |
Трудовые действия | Анализ требований КД на МИС СВЧ Выбор на основе опыта и в соответствии с ТЗ и КД материалов и типа наногетероструктуры Моделирование наногетероструктур, определение их параметров, необходимых для расчета активных элементов (СВЧ-транзисторов, диодов) с использованием TCAD и других программных продуктов Моделирование технологического процесса изготовления активных элементов, определение параметров ТП на основе данных моделирования Моделирование технологических операций изготовления пассивных элементов - линий передачи, конденсаторов, резисторов, мостов, и др. Отчет о результатах моделирования, согласование его с руководителем и передача технологу для использования при разработке ТД |
Необходимые умения | Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ |
Необходимые знания | Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов Параметры полупроводниковых материалов Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ Основы технологии МИС СВЧ Методы сквозного проектирования МИС СВЧ Единая система технологической документации (ЕСТД), нормативная документация, регламенты, принятые в организации ГОСТ по постановке продукции на производство |
Другие характеристики | Самостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работ Деятельность, направленная на подготовку заданий на конструирование МИС СВЧ |