| Наименование | Конструирование наногетероструктурных СВЧ- монолитных интегральных схем в соответствии с техническим заданием для выбираемой технологии |
|
|
|
|
| Происхождение трудовой функции | Оригинал |
|
Заимствовано из оригинала |
|
|
|
| Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта |
| Трудовые действия | Разработка структурных схем и схем принципиальных МИС СВЧ, оптимизация их параметров с учетом существующих технологических маршрутов производства и технологических ограничений Разработка моделей элементов МИС СВЧ. Моделирование характеристик наногетероструктурных МИС СВЧ. Выбор программного обеспечения для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ Выбор и обоснование типа гетероструктур и активных элементов (транзисторов, диодов), необходимых для достижения заданных основных электрических и эксплуатационных параметров МИС СВЧ |
| Необходимые умения | Проводить анализ технической литературы на русском и английском языках Разрабатывать конструкторскую документацию на стадии технического предложения Составлять согласно стандартам технические задания на конструирование МИС СВЧ Проводить оптимизацию структурных и принципиальных схем МИС СВЧ Составлять планы проведения экспериментальных работ Составлять математические модели анализируемых элементов МИС СВЧ Рассчитывать параметры на основе математических моделей Использовать результаты моделирования в проектировании МИС СВЧ Встраивать модели элементов в системы автоматизации проектирования Верифицировать созданные модели на основе численных и натурных экспериментов Анализировать результаты измерений и методы электромагнитного и схемотехнического моделирования для разработки математических моделей элементов МИС СВЧ Разрабатывать недостающие в библиотеках модели элементов МИС СВЧ на основе анализа и экспериментальных измерений тестовых пассивных и активных элементов Выбирать программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ Разрабатывать специальное программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ Разрабатывать модели МИС СВЧ, учитывающие параметры гетероструктурных подложек, применяемых пассивных и активных элементов с помощью систем моделирования и автоматизированного проектирования, включая системы технологического проектирования (TCAD) Оценивать технические и экономические риски при выборе направления конструирования МИС СВЧ Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при конструировании МИС СВЧ Составлять отчет по результатам моделирования и экспериментальных измерений, включающий описание полученных моделей |
| Необходимые знания | Технический английский язык Основы физики гетеро-эпитаксиальных структур, гетероструктурных приборов Параметры полупроводниковых материалов Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ Основы технологии МИС СВЧ Методы сквозного проектирования МИС СВЧ Физические основы применения полупроводниковых соединений типа AIIIBV и гетероструктур на их основе, применяемых в полупроводниковой СВЧ наноэлектронике Методы структурного синтеза с ограничениями и особенностями реализации на СВЧ Методы схемотехнического анализа и синтеза МИС СВЧ с учетом электродинамических характеристик моделей элементов Схемотехника пассивных и активных устройств СВЧ Основы метрологии и методы измерения параметров СВЧ устройств Зондовые измерения Библиотеки моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ Системы технологического моделирования (TCAD) Статистический анализ результатов измерений параметров МИС СВЧ и их элементов Современное контрольно-измерительное оборудование Процедуры разработки и согласования технического задания |
| Другие характеристики | Ответственность за достоверность результатов моделирования и схемотехнических расчетов для достижения параметров МИС СВЧ Деятельность, направленная на решение нетиповых задач конструкторско-технологического характера |