Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров
УТВЕРЖДЕН
приказом Министерства
труда и социальной защиты Российской Федерации
от 22.04.2021 № 271н

Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров


176


Регистрационный номер
Общие сведения
Разработка полупроводниковых лазеров


40.039

(наименование вида профессиональной деятельности)


Код

Основная цель вида профессиональной деятельности:
Разработка и исследование новых моделей полупроводниковых лазеров с улучшенными характеристиками, обеспечение выполнения комплекса мероприятий от формирования технического задания до организационно-технического сопровождения серийного производства

Группа занятий:

1223

Руководители подразделений по научным исследованиям и разработкам

2152

Инженеры-электроники

2111

Физики и астрономы

(код ОКЗ)

(наименование)

(код ОКЗ)

(наименование)

Отнесение к видам экономической деятельности:

26.11.2

Производство диодов, транзисторов и прочих полупроводниковых приборов, включая светоизлучающие диоды, пьезоэлектрические приборы и их части

72.19

Научные исследования и разработки в области естественных и технических наук прочие

(код ОКВЭД)

(наименование вида экономической деятельности)


Описание трудовых функций, входящих в профессиональный стандарт (функциональная карта вида профессиональной деятельности)

Обобщенные трудовые функции
Трудовые функции
код
наименование
уровень квалификации
наименование
код
уровень (подуровень) квалификации

A


Разработка новой модели полупроводникового лазера


7


Поиск и анализ существующих технических решений для реализации параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера

A/01.7

7

Проведение расчетов для определения необходимых требований к параметрам гетероструктуры и конструкции излучающего элемента полупроводникового лазера

A/02.7

7

Разработка технологического маршрута изготовления новой модели полупроводникового лазера

A/03.7

7

Разработка исходных данных для оформления конструкторской документации на новую модель полупроводникового лазера

A/04.7

7

Подготовка исходных данных для оформления документации по патентной защите интеллектуальной собственности - новой модели полупроводникового лазера

A/05.7

7

B


Организация контроля параметров и испытаний новой модели полупроводникового лазера


7


Разработка и согласование со службами организации программы метрологического обеспечения, программы и методики испытаний новой модели полупроводникового лазера

B/01.7

7

Разработка технических условий на новую модель полупроводникового лазера и технической документации, предусмотренной техническим заданием

B/02.7

7

Разработка и изготовление оснастки для проведения измерений параметров и испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров

B/03.7

7

Оформление заявок на материалы, комплектующие и оборудование, необходимые для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров

B/04.7

7

Проведение испытаний разработанного полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания

B/05.7

7

C


Разработка и подготовка производства для серийного выпуска новой модели полупроводникового лазера


7


Определение перечня оборудования и оснастки, необходимых для производства новой модели полупроводникового лазера

C/01.7

7

Организация рабочих мест, необходимых для выполнения работ по контролю параметров и испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера

C/02.7

7

Научно-техническое сопровождение изготовления опытной партии разработанной новой модели полупроводникового лазера

C/03.7

7

Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера для проверки соответствия требованиям технического задания

C/04.7

7

D


Научно-техническое сопровождение серийного производства новой модели полупроводникового лазера


7


Согласование методов контроля параметров разработанной модели полупроводникового лазера с учетом условий его серийного производства в организации-изготовителе

D/01.7

7

Согласование методики входного контроля при поставке полупроводниковых лазеров заказчику

D/02.7

7

Подготовка исходных данных, необходимых для оформления рекламных и информационных сообщений о разработанном полупроводниковом лазере

D/03.7

7

Корректировка технической документации с целью устранения недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации полупроводникового лазера

D/04.7

7

Согласование решения по корректировке технологических процессов для повышения выхода годных полупроводниковых лазеров

D/05.7

7

Проведение в составе комиссии типовых испытаний новой модели полупроводникового лазера для подтверждения правильности внесенных конструктивных и технологических изменений

D/06.7

7

E


Подготовка проекта создания новой модели полупроводникового лазера


7


Уточнение условий и режимов эксплуатации, конструктивных особенностей разрабатываемой модели полупроводникового лазера

E/01.7

7

Согласование с заказчиком технического задания на новую разрабатываемую модель полупроводникового лазера (технических требований) и объема разрабатываемой документации

E/02.7

7

Определение с заказчиком перечня организаций-соисполнителей (организаций-контрагентов) для разработки новой модели полупроводникового лазера

E/03.7

7

Разработка со службами организации организационных и технических мероприятий, необходимых для выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера

E/04.7

7

Подготовка распорядительного акта о начале реализации проекта создания новой модели полупроводникового лазера

E/05.7

7

Сведения об организациях – разработчиках профессионального стандарта

Ответственная организация-разработчик

Фонд инфраструктурных и образовательных программ (РОСНАНО), город Москва
Генеральный директор Свинаренко Андрей Геннадьевич
Наименования организаций-разработчиков
1.
НП «Межотраслевое объединение наноиндустрии», город Москва
2.
ООО «Лассард», город Обнинск, Калужская область
3.
ООО «Новые технологии лазерного термоупрочнения», город Владимир
4.
ООО «НПП «Инжект», город Саратов
5.
ФГБОУ ВО «Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых», город Владимир
6.
ФГБУ «Всероссийский научно-исследовательский институт труда» Министерства труда и социальной защиты Российской Федерации, город Москва
7.
ФКП «Государственный лазерный полигон «Радуга», город Радужный, Владимирская область
 

Возврат к списку