Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров
УТВЕРЖДЕН
приказом Министерства
труда и социальной защиты Российской Федерации
от 10.07.2014 № 452н

Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров


176


Регистрационный номер
Общие сведения
Разработка полупроводниковых лазеров


40.039

(наименование вида профессиональной деятельности)


Код

Основная цель вида профессиональной деятельности:
Разработка новых моделей полупроводниковых лазеров с улучшенными характеристиками, обеспечение выполнения комплекса мероприятий от формирования технического задания до организационно-технического сопровождения серийного производства

Группа занятий:

1222

Руководители специализированных (производственно-эксплуатационных) подразделений (служб) в промышленности

2111

Физики и астрономы

2113

Химики

2146

Химики-технологи, технологи топлива, изделий текстильной и легкой промышленности, продуктов питания

(код ОКЗ)

(наименование)

(код ОКЗ)

(наименование)

Отнесение к видам экономической деятельности:

73.10

Научные исследования и разработки в области естественныхи технических наук

(код ОКВЭД)

(наименование вида экономической деятельности)


Описание трудовых функций, входящих в профессиональный стандарт (функциональная карта вида профессиональной деятельности)

Обобщенные трудовые функции
Трудовые функции
код
наименование
уровень квалификации
наименование
код
уровень (подуровень) квалификации

A


Разработка конструкции и технологии изготовления новой модели полупроводникового лазера


7


Анализ существующих технических решений для реализации параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера

A/01.7

7

Организация проведения расчетов для определения необходимых требований к параметрам гетероструктуры и конструкции излучающего элемента полупроводникового лазера

A/02.7

7

Разработка технологического маршрута изготовления новой модели полупроводникового лазера

A/03.7

7

Организация разработки исходных данных для оформления конструкторской документации на новую модель полупроводникового лазера

A/04.7

7

Подготовка исходных данных для оформления документации по патентной защите интеллектуальной собственности

A/05.7

7

B


Организация контроля параметров и испытаний новой модели полупроводникового лазера


7


Разработка и согласование со службами организации программы метрологического обеспечения, программы и методики испытаний новой модели полупроводникового лазера

B/01.7

7

Разработка технических условий на новую модель полупроводникового лазера и другой документации, предусмотренных техническим заданием

B/02.7

7

Организация разработки и изготовления оснастки для проведения измерений и испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров

B/03.7

7

Координация выполнения контрагентами заявок на материалы, комплектующие и оборудование, необходимых для проведения испытаний

B/04.7

7

Организация проведения испытаний разработанного полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания

B/05.7

7

C


Подготовка производства для выпуска новой модели полупроводникового лазера


7


Определение перечня оборудования и оснастки, необходимых для производства новой модели полупроводникового лазера

C/01.7

7

Организация рабочих мест, необходимых для выполнения работ по контролю параметров и испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера

C/02.7

7

Организация изготовления опытной партии разработанной новой модели полупроводникового лазера

C/03.7

7

Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания

C/04.7

7

D


Организационно-техническое сопровождение серийного производства новой модели полупроводникового лазера


7


Согласование методов контроля параметров разработанной модели полупроводникового лазера с учетом условий его серийного производства в организации-изготовителе

D/01.7

7

Согласование методики входного контроля при поставке полупроводниковых лазеров заказчику

D/02.7

7

Подготовка исходных данных, необходимых для оформления рекламных и информационных сообщений о разработанном изделии

D/03.7

7

Корректировка технической документации с целью устранения недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации изделий

D/04.7

7

Согласование решения по корректировке технологических процессов для повышения выхода годных изделий

D/05.7

7

Проведение в составе комиссии типовых испытаний, подтверждающих правильность внесенных конструктивных и технологических изменений

D/06.7

7

E


Подготовка проекта по созданию новой модели полупроводникового лазера


8


Уточнение условий и режимов эксплуатации, конструктивных особенностей разрабатываемой модели полупроводникового лазера

E/01.8

8

Согласование с заказчиком технического задания (технических требований) к новой разрабатываемой модели полупроводникового лазера и объема разрабатываемой документации

E/02.8

7

Определение с заказчиком перечня организаций-соисполнителей (организаций-контрагентов)

E/03.8

8

Разработка со службами организации организационных и технических мероприятий, необходимых для выполнения проекта

E/04.8

8

Подготовка и принятие распорядительного акта о начале реализации проекта по созданию новой модели полупроводникового лазера

E/05.8

8

Сведения об организациях – разработчиках профессионального стандарта

Ответственная организация-разработчик

Фонд инфраструктурных и образовательных программ (РОСНАНО), город Москва
,
Наименования организаций-разработчиков
1.
ОАО «НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, город Москва
2.
ООО НТО «ИРЭ-Полюс», город Фрязино, Московская область
3.
ФГБУ науки «Институт общей и неорганической химии имени Н. С. Курнакова РАН», город Москва
4.
АНО «Национальное агентство развития квалификаций», город Москва
 

Возврат к списку