| Наименование | Настройка математических моделей литографического процесса для проведения коррекции оптических эффектов близости |
|
|
|
|
| Происхождение трудовой функции | Оригинал |
|
Заимствовано из оригинала |
|
|
|
| Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта |
| Трудовые действия | Проведение верификации полученной топологии кристалла сверхбольших интегральных схем Проведение анализа и выбор способов коррекции оптических искажений при проектировании фотошаблонов Выбор совокупности параметров настройки математической модели литографического процесса для проведения коррекции оптических эффектов близости |
| Необходимые умения | Получать адекватную модель литографического процесса, для которого подготавливается данный комплект фотошаблонов Осуществлять калибровку модели литографического процесса Проводить коррекцию оптической близости, основанную на математических моделях (распределении интенсивности излучения при экспонировании после прохождения через фотошаблон), наборе правил проектирования (топологический слой по заранее заданному набору правил проектирования проверяется на наличие мест, в которых необходимо провести коррекцию) с учетом вариации процесса |
| Необходимые знания | Раздел общей физики: оптика (дифракция, интерференция), основы фурье-оптики Высшая математика Процессы фотолитографии Методики верификации фотошаблонов Использование технологии внеосевого освещения для улучшения воспроизведения плотноупакованных топологических структур Технологии единого интерфейса для управления объектами автоматизации и технологическими процессами специализированных программных платформ |
| Другие характеристики |